4/18/2018,將高速發(fā)光體集成到硅芯片上可支持硅基光電子學的新架構。但迄今為止，由于基于化合物半導體的發(fā)光體難以在硅襯底上直接制造，因此將其集成到硅基平臺面臨著重大挑戰(zhàn)。

    近日，來自日本科學技術局的研究人員開發(fā)了高速、高度集成的基于石墨烯的硅基芯片發(fā)射器。這些發(fā)射體工作在近紅外區(qū)域，包括電信波長(約1550nm)。研究團隊表示，新型發(fā)射器“比傳統(tǒng)化合物半導體發(fā)射器具有更大的優(yōu)勢”。


圖為石墨烯發(fā)射器原理示意圖

    團隊研究人員包括：Yusuke Miyoshi, Yusuke Fukazawa, Yuya Amasaka, Robin Reckmann, Tomoya Yokoi, Kazuki Ishida, Kenji Kawahara, Hiroki Ago和Hideyuki Maki，該項研究發(fā)表在Nature Communications雜志上。

    該研究團隊首次在包括電信波長的近紅外區(qū)域中證明了基于石墨烯的集成、高速片上黑體發(fā)射器。該發(fā)射器有著約為100ps的快速響應時間，比先前的石墨烯發(fā)射器響應時間快了約105倍，該響應時間已經(jīng)在單層和少層石墨烯上被證實。器件的響應時間取決于石墨烯層的數(shù)量，可以通過石墨烯與襯底接觸來控制發(fā)射響應。

    基于包括石墨烯和襯底在內(nèi)的發(fā)射體的熱模型，通過對熱傳導方程進行理論計算研究人員闡明了高速發(fā)射器的工作機制。模擬結果表明，快速響應特性不僅可以通過石墨烯中的面內(nèi)熱傳導的經(jīng)典熱傳遞以及向基板的熱耗散來理解，而且可以通過經(jīng)由表面極性聲子(SPoPh)的遠程量子熱傳遞。

    此外，這是首次實現(xiàn)基于石墨烯基發(fā)光體實時光通信，證明了石墨烯發(fā)射體有能力作為光通信的新型光源。

    研究人員表示：“我們制造出了集成的二維陣列發(fā)射器，通過化學氣相沉積法生長出了大尺寸石墨烯，該發(fā)射器可工作在空氣中，并且由于它們的平面器件結構占用的空間小，因此能夠?qū)⒐饫w直接耦合到發(fā)射器中。”

    研究人員總結道：“我們展示了實時光通信、高度集成的二維陣列發(fā)射器，可在空氣中操作的、能夠?qū)⒐饫w直接耦合到發(fā)射器的帶帽發(fā)射器。該發(fā)射器可以為實現(xiàn)高度集成的光電子和硅光子晶體管，小尺寸和高速發(fā)射器開辟新的路徑。

來源: 江南石墨烯研究院