1/14/2020， 光互聯(lián)論壇OIF今天宣布將在今年美國(guó)加州Santa Clara DesignCon期間舉辦活動(dòng)，介紹OIF新的CEI-112G 電接口發(fā)展?fàn)顩r以及新的包括芯片組封裝，光電混合封裝和內(nèi)部線(xiàn)纜連接方案等在內(nèi)的新架構(gòu)，具體時(shí)間為1月29日當(dāng)?shù)貢r(shí)間下午3點(diǎn)45分。 

這次活動(dòng)名為“促進(jìn)新架構(gòu)：OIF的CEI-112G電接口進(jìn)展”，主要內(nèi)容包括MCM, XSR, VSR，MR和LR五種接口。這些新接口預(yù)計(jì)將會(huì)改變從裸芯片到裸芯片連接到背板和電纜連接的下一代芯片設(shè)計(jì)的方案。

OIF參加討論的嘉賓包括：
OIF主席，TE Connectivity Nathan Tracy
OIF委員，博通公司Cathy Liu
OIF 物理層和鏈路層互聯(lián)工作組主席，是德公司Steve Sekel
OIF技術(shù)委員會(huì)主席，Semtech公司Ed Frlan
OIF委員，思科公司Gary Nicholl
OIF委員，英特爾公司Mike Li

OIF 主席Tracy指出，112Gbps電接口是更快，更高效和更經(jīng)濟(jì)的數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵技術(shù)。這次在DesignCon上的討論將進(jìn)一步促進(jìn)行業(yè)對(duì)112Gbps電接口及帶來(lái)的設(shè)計(jì)架構(gòu)變化的關(guān)注。