10/08/2022，光纖在線訊，日本大阪大學、三重大學、美國康奈爾大學的研究團隊開發(fā)出了用于“6G”的半導體成膜技術。研究團隊開發(fā)出了去除成膜過程中產生的雜質的方法，把晶體管材料的導電性提高到原來的約4倍。計劃應用于產業(yè)用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。

據相關媒體報道稱，目前想要實現超高速通信，需要導電性強的晶體管。該硬性需求使得，在基板上分別層疊電子生成層和電子轉移層的高電子遷移率晶體管被人們所關注。據目前的技術，電子生成層大多使用的氮化鋁鎵，其中，導電性強的氮化鋁（AlN）的含有率為20～30％，而新技術將提高氮化鋁的比率。