1/31/2024，光纖在線訊，2023年被稱為“AI元年”，AI行業(yè)的崛起不僅引領(lǐng)了萬象更新，同時也使得市場對于高速率、高帶寬的算力要求迅速爆發(fā)，拉動了光通信行業(yè)的市場需求與技術(shù)提升。

近日光纖在線編輯到訪了一家以開發(fā)可支撐數(shù)據(jù)中心800G/1.6T高性能、高速率、高集成度光模塊內(nèi)部核心產(chǎn)品的研發(fā)公司--蘇州易纜微半導體技術(shù)有限公司（以下簡稱：易纜微），易纜微市場總監(jiān)許廣偉先生接受了我們的采訪。


圖片說明：易纜微市場總監(jiān)許廣偉先生（中）與光纖在線編輯

蘇州易纜微半導體技術(shù)有限公司成立于2021年，是一家由旅歐歸國博士團隊創(chuàng)建的中外合資科技型創(chuàng)業(yè)公司，總部位于蘇州納米城，生產(chǎn)基地位于常熟高新區(qū)，并在比利時設(shè)有研發(fā)中心。

易纜微的核心技術(shù)在于充分發(fā)揮硅、氮化硅和鈮酸鋰等幾種重要的光電子應(yīng)用材料各自的優(yōu)勢：即基于硅材料芯片，片上同時集成具有更高通光性能的氮化硅材料和更優(yōu)越線性電光效應(yīng)的薄膜鈮酸鋰材料?；谶@一技術(shù)所研發(fā)出的硅基混合集成光引擎，具備更低的調(diào)制啁啾，可實現(xiàn)更好的調(diào)制效率，其調(diào)制帶寬可遠大于67GHz；同時其具備高線性度、低損耗及低成本等優(yōu)異性能，是實現(xiàn)未來數(shù)據(jù)中心800G/1.6T（單波速率200G/400G）高性能光模塊甚至3.2T光引擎的核心技術(shù)。

許總介紹說，在混合集成技術(shù)設(shè)計中，基礎(chǔ)平臺的選擇是第一要務(wù)，硅基光電子技術(shù)平臺具有低成本、高集成度，以及易于規(guī)模量產(chǎn)的優(yōu)勢，是現(xiàn)階段技術(shù)最成熟的基礎(chǔ)平臺，但隨著數(shù)據(jù)量的爆炸性增長，行業(yè)的發(fā)展伴隨著更大帶寬、更低損耗的需求，氮化硅具有更高的通光性能可以承載100mW及以上大功率的光源耦合，薄膜鈮酸鋰則是實現(xiàn)低損超快光學調(diào)制的最佳材料。因此，易纜微專注于打造硅基混合集成薄膜鈮酸鋰技術(shù)，同時完備自主知識產(chǎn)權(quán)的核心混合集成工藝的芯片生產(chǎn)線。此前已經(jīng)推出了可商用化的4*100G DR4混合集成評估版本，目前致力于推出用于800G-DR4和LPO的混合集成硅光子芯片，已與部分客戶展開項目合作測試。

許總表示，近年來，薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料，受到了廣泛的關(guān)注。相比于傳統(tǒng)的光電材料，薄膜鈮酸鋰平臺可以實現(xiàn)更高的調(diào)制效率、更好的線性度、更低的損耗，尤其在未來的800G/1.6T，甚至是3.2T硅光引擎方面具有廣闊的市場應(yīng)用空間。但易纜微的產(chǎn)品并非是純硅光芯片或薄膜鈮酸鋰芯片的直接替代者或競爭者，公司的主要目的依然是在探尋硅基平臺上多種材料的異質(zhì)集成技術(shù)，下一步還將著力于研發(fā)除了在硅基基礎(chǔ)上集成氮化硅端面耦合器、薄膜鈮酸鋰調(diào)制器外，再集成InP的PD芯片功能?？梢哉f，對于面向未來單波200G速率以上的高帶寬高速率PIC路線，易纜微是一個踐行者。硅基混合集成氮化硅、薄膜鈮酸鋰技術(shù)應(yīng)用于800G/1.6T光模塊數(shù)據(jù)中心互聯(lián)僅僅是一個開始，未來更多的還將面向光計算、激光雷達、生命科學等更廣泛的應(yīng)用。

此外，為了進一步完善硅基混合集成技術(shù)的耦合工藝，易纜微還推出了相應(yīng)的無源產(chǎn)品線(常規(guī)和特種)：包括常規(guī)光纖陣列、模場轉(zhuǎn)換光纖陣列、45度凸纖光纖陣列等特種光纖陣列，以及高精度硅基V槽、PLC耦合光器件等各類光無源產(chǎn)品。目前已經(jīng)形成批量生產(chǎn)，客戶遍及國內(nèi)、中國臺灣地區(qū)和歐美國家。