高精度、高速、一體式丨Santec晶圓測(cè)厚系統(tǒng) TMS-2000
發(fā)布時(shí)間:2024-07-19 08:50:17 熱度:1000
7/19/2024,光纖在線訊,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓的厚度測(cè)量對(duì)于確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展,行業(yè)對(duì)晶圓平整度和厚度的測(cè)量精度要求越來越高。Santec TMS-2000高精度晶圓測(cè)厚系統(tǒng),為高精度測(cè)量提供定制化解決方案。
Sanetc 的TMS-2000系統(tǒng)以非接觸方式測(cè)量晶圓平整度,在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng),可測(cè)晶圓尺寸范圍上至12英寸,其測(cè)量精度可達(dá)1nm。相較于傳統(tǒng)晶圓測(cè)厚技術(shù)的測(cè)量精度易受溫度變化或環(huán)境震動(dòng)影響,TMS-2000的創(chuàng)新式硬件設(shè)計(jì)使其能有效抵抗環(huán)境干擾。
TMS-2000的高速測(cè)量能力和一體式緊湊設(shè)計(jì)使其成為測(cè)量各種從輕摻到重?fù)絇型硅(P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰,SOI等材料晶圓的理想平臺(tái)。
特點(diǎn)
1nm精度:TMS-2000實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)晶圓測(cè)厚,確保測(cè)量的極致精準(zhǔn)。
抗干擾設(shè)計(jì):在極端工作環(huán)境中,有效抵抗溫度變化和機(jī)械震動(dòng)的干擾。
全晶圓測(cè)量:支持從輕摻到重?fù)絇型硅等材料的全范圍厚度測(cè)量,及客制化掃描模式。
一體式光路:照明-探測(cè)集成設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化操作流程。
國際標(biāo)準(zhǔn):測(cè)量結(jié)果符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)。
測(cè)量方法
厚度測(cè)繪
TMS-2000提供可視化的數(shù)據(jù)采集程序,便于用戶進(jìn)行直觀一致的測(cè)量、分析和數(shù)據(jù)輸出。
邊緣 & 局部檢測(cè)
TMS-2000提供多樣的平整度參數(shù),可用于統(tǒng)計(jì)分析,其規(guī)格符合SEMI國際標(biāo)準(zhǔn),且能以業(yè)界通用格式輸出。
客制化
設(shè)備制造解決方案
提供可定制的晶圓測(cè)量硬件制造和軟件設(shè)計(jì)服務(wù)。
EFEM Integration
提供自動(dòng)化檢測(cè)和可控微環(huán)境的設(shè)計(jì)支持。
應(yīng)用
重?fù)叫凸瑁?/b>高靈敏度晶圓前后表面同時(shí)測(cè)量。
粗糙表面:點(diǎn)掃描成像,高靈敏度,抗串?dāng)_噪聲影響,可測(cè)量粗糙表面晶圓。
多層結(jié)構(gòu):厚度可從μm級(jí)到數(shù)百μm級(jí)不等,適用于SOI和MEMS生產(chǎn)制造。
雙折射 / 低反射材料:通過對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償,加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比。
薄膜測(cè)量:可用于測(cè)量各類薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可達(dá) 1nm,適用于晶圓背面研磨工藝和 表面聲波元件制造等。
Santec TMS-2000,為您的晶圓測(cè)厚需求提供定制化解決方案。
Sanetc 的TMS-2000系統(tǒng)以非接觸方式測(cè)量晶圓平整度,在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng),可測(cè)晶圓尺寸范圍上至12英寸,其測(cè)量精度可達(dá)1nm。相較于傳統(tǒng)晶圓測(cè)厚技術(shù)的測(cè)量精度易受溫度變化或環(huán)境震動(dòng)影響,TMS-2000的創(chuàng)新式硬件設(shè)計(jì)使其能有效抵抗環(huán)境干擾。
TMS-2000的高速測(cè)量能力和一體式緊湊設(shè)計(jì)使其成為測(cè)量各種從輕摻到重?fù)絇型硅(P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰,SOI等材料晶圓的理想平臺(tái)。
特點(diǎn)
1nm精度:TMS-2000實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)晶圓測(cè)厚,確保測(cè)量的極致精準(zhǔn)。
抗干擾設(shè)計(jì):在極端工作環(huán)境中,有效抵抗溫度變化和機(jī)械震動(dòng)的干擾。
全晶圓測(cè)量:支持從輕摻到重?fù)絇型硅等材料的全范圍厚度測(cè)量,及客制化掃描模式。
一體式光路:照明-探測(cè)集成設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化操作流程。
國際標(biāo)準(zhǔn):測(cè)量結(jié)果符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)。
測(cè)量方法
厚度測(cè)繪
TMS-2000提供可視化的數(shù)據(jù)采集程序,便于用戶進(jìn)行直觀一致的測(cè)量、分析和數(shù)據(jù)輸出。
邊緣 & 局部檢測(cè)
TMS-2000提供多樣的平整度參數(shù),可用于統(tǒng)計(jì)分析,其規(guī)格符合SEMI國際標(biāo)準(zhǔn),且能以業(yè)界通用格式輸出。
客制化
設(shè)備制造解決方案
提供可定制的晶圓測(cè)量硬件制造和軟件設(shè)計(jì)服務(wù)。
EFEM Integration
提供自動(dòng)化檢測(cè)和可控微環(huán)境的設(shè)計(jì)支持。
應(yīng)用
重?fù)叫凸瑁?/b>高靈敏度晶圓前后表面同時(shí)測(cè)量。
粗糙表面:點(diǎn)掃描成像,高靈敏度,抗串?dāng)_噪聲影響,可測(cè)量粗糙表面晶圓。
多層結(jié)構(gòu):厚度可從μm級(jí)到數(shù)百μm級(jí)不等,適用于SOI和MEMS生產(chǎn)制造。
雙折射 / 低反射材料:通過對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償,加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測(cè)量的信噪比。
薄膜測(cè)量:可用于測(cè)量各類薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可達(dá) 1nm,適用于晶圓背面研磨工藝和 表面聲波元件制造等。
Santec TMS-2000,為您的晶圓測(cè)厚需求提供定制化解決方案。


