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杭州澤達(dá)半導(dǎo)體100G PAM4 EML激光器芯片通過嚴(yán)苛測試,展現(xiàn)技術(shù)實(shí)力

發(fā)布時間:2024-09-14 10:47:06 熱度:4276

9/14/2024,光纖在線訊,杭州澤達(dá)半導(dǎo)體有限公司是一家國內(nèi)新興的光通信技術(shù)供應(yīng)商。近日,澤達(dá)半導(dǎo)體通過了上海交大平湖智能光電研究院的第三方檢驗(yàn),并發(fā)布了其自主研發(fā)與流片的100G PAM4 EML激光器數(shù)據(jù)報(bào)告。報(bào)告顯示,澤達(dá)的100G PAM4 EML在多個關(guān)鍵性能指標(biāo)上超越了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),充分展現(xiàn)出卓越的信號質(zhì)量和系統(tǒng)容錯能力。

 
澤達(dá)100G EML芯片

     在高速傳輸應(yīng)用中,電吸收調(diào)制激光器(EML)的帶寬是衡量其性能的關(guān)鍵指標(biāo)。澤達(dá)100G PAM4 EML在工作溫度內(nèi)的3dB帶寬均在53GHz以上,接近200G bps EML的要求(>65GHz),這一指標(biāo)不僅滿足了100G bps EML的高標(biāo)準(zhǔn),更預(yù)示著澤達(dá)在200G bps EML領(lǐng)域的技術(shù)潛力。

     報(bào)告中特別提到了該產(chǎn)品PAM4眼圖TDECQ(Transmitter and Dispersion Eye Closure Quaternary for PAM4)測試結(jié)果。TDECQ是衡量PAM4光信號質(zhì)量的重要參數(shù),澤達(dá)100G EML在1.5 Vpp和1.2 Vpp條件下的TDECQ值分別為1.89dB和1.80dB,均遠(yuǎn)低于IEEE標(biāo)準(zhǔn)要求的3.4dB,顯示出澤達(dá)產(chǎn)品在信號質(zhì)量上的顯著優(yōu)勢。

  
澤達(dá)100Gbps TDECQ  1.8 dB (輸入信號 1.5Vpp)

     澤達(dá)半導(dǎo)體的這一突破,得益于其在光通信領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新投入。公司表示,目前預(yù)計(jì)100G PAM4 EML已經(jīng)開始與多家客戶展開對接送樣進(jìn)行驗(yàn)證,有望在今年通過客戶認(rèn)證,進(jìn)入量產(chǎn)。同時,澤達(dá)即將推出全流程自制的SOA與增益芯片,已與Tier1的客戶達(dá)成協(xié)議,有望明年進(jìn)入量產(chǎn)。

     澤達(dá)半導(dǎo)體的這些進(jìn)展,不僅為國內(nèi)光通信行業(yè)帶來了新的技術(shù)突破,也為全球高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌l(fā)展注入了新的動力。隨著5G、數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算、AI等技術(shù)的快速發(fā)展,澤達(dá)半導(dǎo)體憑借其領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品,有望在全球光通信市場中占據(jù)更加重要的地位。


澤達(dá)3英寸晶圓襯底

關(guān)于澤達(dá)半導(dǎo)體
     杭州澤達(dá)半導(dǎo)體成立于2021年,是一家專注于光通信領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè),致力于研發(fā)和自主生產(chǎn)高性能的光電子器件,主要包括高速DML/EML激光器芯片與大功率CW laser以及GC/SOA,為全球客戶提供優(yōu)質(zhì)的光通信解決方案。

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