11/01/2024，光纖在線訊，據(jù)報道，預計臺積電將于今年年底從荷蘭供應商ASML接收首批全球最先進的芯片制造機器，僅比美國競爭對手英特爾晚幾個月。

      它們被稱為高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機，是世界上最昂貴的芯片制造設備，每臺的價格約為3.5億美元。臺積電、英特爾和三星是目前僅有的幾家仍在競相生產(chǎn)體積更小、性能更強半導體產(chǎn)品的全球芯片制造商，他們都嚴重依賴ASML的設備。

      消息人士透露，臺積電將在本季度在其位于中國臺灣新竹總部附近的研發(fā)中心安裝新的High NA EUV光刻機。在新設備用于大規(guī)模芯片生產(chǎn)之前，需要進行廣泛的研究和工程工作，但消息人士稱，臺積電認為沒有必要急于采取行動，“根據(jù)目前的研發(fā)成果，并不迫切需要使用最新版本的High NA EUV光刻機，但臺積電不排除進行全面尋路和工程工作的機會，并利用業(yè)界最先進的設備進行試運行，該公司的目標是保留所有選擇。”

      消息人士稱，臺積電可能會在推出A10生產(chǎn)技術后才會考慮使用這些機器進行商業(yè)生產(chǎn)，可能在2030年之后。據(jù)悉，A10技術比臺積電計劃在2025年底投入生產(chǎn)的2nm技術高出大約兩代。

      臺積電方面證實，將引進這些新設備，但沒有具體透露有關交付時間或投入生產(chǎn)的任何細節(jié)。該公司表示：“臺積電仔細評估了新晶體管結構和新工具等技術創(chuàng)新，并在將其投入批量生產(chǎn)之前，考慮了它們的成熟度、成本和對客戶的好處。臺積電計劃首先引進High NA EUV光刻機用于研發(fā)，以開發(fā)客戶推動創(chuàng)新所需的相關基礎設施和模式解決方案?！?br>
      在ASML High NA EUV光刻機采用方面， 英特爾2023年12月在其位于美國俄勒岡州的研發(fā)中心安裝了第一套High NA EUV光刻機，并正在進行測試，為商業(yè)生產(chǎn)做準備。今年第二季度，ASML的第二套High NA EUV光刻機被運往英特爾。近日另有消息稱，三星電子正準備在2025年初引入首臺High NA EUV（極紫外）光刻機設備，這一發(fā)展標志著三星首次涉足High NA EUV技術。此前，該公司曾與IMEC合作進行電路處理研究。三星計劃利用自己的設備加速先進節(jié)點的開發(fā)，并設定了到2027年實現(xiàn)1.4nm工藝商業(yè)化的目標，這可能為1nm生產(chǎn)鋪平道路。

來源：集微網(wǎng)