新品推介 | 聯(lián)訊儀器4通道PXIe SMU S2019C，以1μV/1pA分辨率實(shí)現(xiàn)超高精度測(cè)試
發(fā)布時(shí)間：2025-05-19 09:08:31 熱度：519
5/19/2025，光纖在線訊，聯(lián)訊儀器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU，在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平臺(tái)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了功能升級(jí)與性能突破。該設(shè)備創(chuàng)新性地集成了自動(dòng)量程等智能化功能，具備四通道同步輸出與測(cè)量能力，支持±40V寬電壓范圍輸出，并提供±500mA（直流）和±1A（脈沖）雙模式電流輸出。其突破性的pA級(jí)電流測(cè)量精度，配合優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能表現(xiàn)，完全覆蓋傳統(tǒng)型號(hào)的所有應(yīng)用場(chǎng)景，能夠滿足5G射頻器件、光電器件對(duì)測(cè)試精度和穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。
1.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
分辨率高達(dá)1μV/1pA
電流分辨率低至1pA，電壓分辨率達(dá)1μV，精準(zhǔn)捕捉nA級(jí)漏電、μV級(jí)信號(hào)波動(dòng)。
4通道獨(dú)立/同步控制
支持四通道并行輸出與測(cè)量，可同時(shí)完成多器件IV特性掃描或特征參數(shù)測(cè)量，大幅提升測(cè)試效率。
±40V/±1A寬域動(dòng)態(tài)覆蓋，脈沖源與直流源集于一身
直流±40V/±500mA，脈沖±1A輸出能力，輕松應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體器件測(cè)試、高精度傳感器采集等場(chǎng)景。
1MS/s高速采樣 + APFC動(dòng)態(tài)調(diào)優(yōu)
1MS/s超高速ADC采樣率，結(jié)合自適應(yīng)精密快速控制（APFC）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)輸出波形亞毫秒級(jí)穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)無(wú)延遲。
多卡同步 + 全棧自動(dòng)化支持
基于PXIe協(xié)議，支持多卡級(jí)聯(lián)擴(kuò)展與硬件同步觸發(fā)； 采用標(biāo)準(zhǔn)SCPI進(jìn)行控制，支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等編程語(yǔ)言控制，無(wú)縫融入現(xiàn)有測(cè)試平臺(tái)。
2.典型應(yīng)用
半導(dǎo)體測(cè)試：MOSFET/ IGBT/BJT IV特性分析
—±40V/±1A寬范圍輸出和測(cè)量，搭配1μV/1pA分辨率，精確測(cè)量nA級(jí)到A級(jí)的電流變化。
—單卡四通道獨(dú)立輸出，匹配四端器件測(cè)試更加經(jīng)濟(jì)高效。
硅光晶圓測(cè)試：破解高集成芯片的暗電流難題
在硅光芯片制造中，nA級(jí)暗電流的精準(zhǔn)測(cè)量直接決定器件性能與良率
—S2019C憑借1pA分辨率，可穩(wěn)定捕捉超低暗電流信號(hào)，搭配4通道并行架構(gòu)，支持晶圓級(jí)多探針同步測(cè)試，實(shí)現(xiàn)硅光器件漏電流、響應(yīng)度等參數(shù)的全覆蓋分析，為800G光模塊、激光雷達(dá)芯片提供可靠性保障。
結(jié)語(yǔ)
S2019C 4通道PXIe SMU
精準(zhǔn)捕捉毫伏/納安級(jí)信號(hào)，掌握微弱變化
覆蓋復(fù)雜工業(yè)場(chǎng)景，應(yīng)對(duì)各類嚴(yán)苛測(cè)試環(huán)境
實(shí)驗(yàn)室級(jí)數(shù)據(jù)精度，助力科研創(chuàng)新與工業(yè)升級(jí)
關(guān)于聯(lián)訊
作為國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器領(lǐng)軍企業(yè)，聯(lián)訊聚焦高速通信、光芯片及半導(dǎo)體晶圓芯片測(cè)試領(lǐng)域，已形成 “儀器+ 設(shè)備 + 解決方案” 的完整生態(tài)。其產(chǎn)品矩陣包括：
高速測(cè)試儀表：采樣示波器、時(shí)鐘恢復(fù)單元、誤碼儀、波長(zhǎng)計(jì)、精密源表等。
光芯片測(cè)試設(shè)備：激光器CoC老化、裸芯片測(cè)試、硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)等。
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備：SiC晶圓老化、SiC裸芯片KGD測(cè)試分選、WAT晶圓參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。WLR/PLR可靠性測(cè)試系統(tǒng)等高端測(cè)試設(shè)備等。
行業(yè)解決方案：1.6T光互連測(cè)試方案、CPO共封裝光學(xué)驗(yàn)證方案等。
更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.semight.com
1.產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
分辨率高達(dá)1μV/1pA
電流分辨率低至1pA，電壓分辨率達(dá)1μV，精準(zhǔn)捕捉nA級(jí)漏電、μV級(jí)信號(hào)波動(dòng)。
4通道獨(dú)立/同步控制
支持四通道并行輸出與測(cè)量，可同時(shí)完成多器件IV特性掃描或特征參數(shù)測(cè)量，大幅提升測(cè)試效率。
±40V/±1A寬域動(dòng)態(tài)覆蓋，脈沖源與直流源集于一身
直流±40V/±500mA，脈沖±1A輸出能力，輕松應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體器件測(cè)試、高精度傳感器采集等場(chǎng)景。
1MS/s高速采樣 + APFC動(dòng)態(tài)調(diào)優(yōu)
1MS/s超高速ADC采樣率，結(jié)合自適應(yīng)精密快速控制（APFC）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)輸出波形亞毫秒級(jí)穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)無(wú)延遲。
多卡同步 + 全棧自動(dòng)化支持
基于PXIe協(xié)議，支持多卡級(jí)聯(lián)擴(kuò)展與硬件同步觸發(fā)； 采用標(biāo)準(zhǔn)SCPI進(jìn)行控制，支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等編程語(yǔ)言控制，無(wú)縫融入現(xiàn)有測(cè)試平臺(tái)。
2.典型應(yīng)用
半導(dǎo)體測(cè)試：MOSFET/ IGBT/BJT IV特性分析
—±40V/±1A寬范圍輸出和測(cè)量，搭配1μV/1pA分辨率，精確測(cè)量nA級(jí)到A級(jí)的電流變化。
—單卡四通道獨(dú)立輸出，匹配四端器件測(cè)試更加經(jīng)濟(jì)高效。
硅光晶圓測(cè)試：破解高集成芯片的暗電流難題
在硅光芯片制造中，nA級(jí)暗電流的精準(zhǔn)測(cè)量直接決定器件性能與良率
—S2019C憑借1pA分辨率，可穩(wěn)定捕捉超低暗電流信號(hào)，搭配4通道并行架構(gòu)，支持晶圓級(jí)多探針同步測(cè)試，實(shí)現(xiàn)硅光器件漏電流、響應(yīng)度等參數(shù)的全覆蓋分析，為800G光模塊、激光雷達(dá)芯片提供可靠性保障。
結(jié)語(yǔ)
S2019C 4通道PXIe SMU
覆蓋復(fù)雜工業(yè)場(chǎng)景，應(yīng)對(duì)各類嚴(yán)苛測(cè)試環(huán)境
實(shí)驗(yàn)室級(jí)數(shù)據(jù)精度，助力科研創(chuàng)新與工業(yè)升級(jí)
關(guān)于聯(lián)訊
作為國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器領(lǐng)軍企業(yè)，聯(lián)訊聚焦高速通信、光芯片及半導(dǎo)體晶圓芯片測(cè)試領(lǐng)域，已形成 “儀器+ 設(shè)備 + 解決方案” 的完整生態(tài)。其產(chǎn)品矩陣包括：
高速測(cè)試儀表：采樣示波器、時(shí)鐘恢復(fù)單元、誤碼儀、波長(zhǎng)計(jì)、精密源表等。
光芯片測(cè)試設(shè)備：激光器CoC老化、裸芯片測(cè)試、硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng)等。
半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備：SiC晶圓老化、SiC裸芯片KGD測(cè)試分選、WAT晶圓參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。WLR/PLR可靠性測(cè)試系統(tǒng)等高端測(cè)試設(shè)備等。
行業(yè)解決方案：1.6T光互連測(cè)試方案、CPO共封裝光學(xué)驗(yàn)證方案等。
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