4/07/2024，光纖在線訊，近日，韓國內存大廠SK海力士宣布，斥資38.7億美元在美國印第安那州興建新先進內存封裝廠，預期2028年下半年開始運營，有望生產HBM4和HBM4E內存產品。

     據報道，該廠將不加工帶內存電路的芯片，而是從其他地方（如韓國SK海力士芯片廠）獲得這些芯片，再用已知良好堆棧裸晶組裝HBM。

     部分用于AI和高性能運算的最先進處理器都采用HBM內存，如AMD MI300系列和Nvidia H100/H200、B100/B200系列產品。在美國設HBM封裝廠將使高帶寬內存的供應鏈更具彈性，但從SK海力士聲明看，該公司將繼續(xù)在韓國生產HBM內存設備。

     該工廠預期成本將大幅超越英特爾、臺積電封裝廠成本，加上HBM4和HBM4E內存堆棧將采用2048位界面，比現有HBM3、HBM3E復雜，因此需要更復雜的封裝設備。也因此，預期SK海力士印第安那州廠投產后，將成為世界上最先進的半導體封裝工廠之一。

     SK海力士首席執(zhí)行官Kwak Noh-Jung指出，很高興能成為業(yè)內首間在美國為AI產品創(chuàng)建先進封裝設施的企業(yè)，期盼新工廠能推進公司AI內存芯片目標，服務客戶的需求。

     該廠將位于印第安那州的西拉法葉（West Lafayette），SK海力士表示，之所以選擇此處，是因為印第安那州擁有強大工業(yè)基礎設施，包括以普渡大學和常春藤技術社區(qū)學院為首的研發(fā)生態(tài)系統(tǒng)、半導體專家，及州政府和地方政府的大力支持。

     此外，SK海力士還與普渡大學簽署研發(fā)項目，并與常春藤技術社區(qū)學院（Ivy Tech Community College）合作，開設培訓課程和多學科學位課程，培養(yǎng)高科技領域的熟練勞動力。