11/27/2020，光纖在線(xiàn)訊，隨著移動(dòng)基站繼續(xù)增加以及數(shù)據(jù)中心流量需求不斷增大，可以預(yù)測(cè)光通信市場(chǎng)也將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。目前，400Gbps的以太網(wǎng)(400GbE)正逐漸成為下一代數(shù)據(jù)中心的主流，而B(niǎo)eyond 400Gbps的研發(fā)也早已展開(kāi)，高速化、小型化、高集成化的需求日益迫切。為了適應(yīng)這一需求，村田近日發(fā)布的硅電容器，尤其適合于超寬帶傳輸?shù)墓馔ㄐ旁O(shè)備。
 
    通過(guò)硅電容的獨(dú)特構(gòu)造，能夠適應(yīng)溫度及電壓變化的電容量穩(wěn)定性，高電容密度與高超的集成化技術(shù)。針對(duì)信號(hào)完整性的提高及小型化需求，村田能夠提供極佳的解決方案，包括以下三個(gè)方面的應(yīng)用： 
 高頻信號(hào)線(xiàn)直器的耦合電容器
 解決偏置電路上去耦問(wèn)題的去耦電容器
 TOSA硅中介層IPD(硅集成無(wú)源器件)
     


村田硅電容在超寬帶傳輸光通信設(shè)備中的應(yīng)用

作為通信基建設(shè)施的光配線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)，提高系統(tǒng)性能的同時(shí)需要保持出色的穩(wěn)定性可靠性以降低維護(hù)成本；另外，實(shí)現(xiàn)超高速通信傳輸，設(shè)備的小型化也至關(guān)重要，因?yàn)榧�成度更高且穩(wěn)定的元器件，能夠提高建網(wǎng)速度并節(jié)省配套硬件設(shè)施投資，從而降低光通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)綜合成本。 

在中國(guó)大陸市場(chǎng)，村田已經(jīng)與深圳市湘海電子有限公司建立密切合作，湘海電子專(zhuān)注于為光模塊客戶(hù)提供完整的光芯片解決方案。

1、耦合電容器 


村田硅電容器ULSC、BBSC、UBSC、XBSC系列，適用于高頻信號(hào)線(xiàn)上隔直耦合，能夠?qū)崿F(xiàn)低插入損耗、低反射、高相位穩(wěn)定性。 
支持的頻率范圍，最低為16kHz，XBSC最高為110GHz，UBSC最高為60+GHz，BBSC最高為40GHz，ULSC最高為26GHz。 
村田硅電容器基于深槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，是應(yīng)用半導(dǎo)體的MOS工藝開(kāi)發(fā)的。表現(xiàn)出極高的可靠性，及隨著電壓、溫度、老化的高靜電容量穩(wěn)定性（0.1%/V，60 ppm/K）。 
此外，硅電容器實(shí)現(xiàn)了-55℃至150℃的廣泛工作溫度范圍。生產(chǎn)線(xiàn)采用經(jīng)過(guò)超過(guò)900℃的高溫退火處理而獲得的高純度氧化膜，能夠完全控制，確保高度的可靠性和再現(xiàn)性。
 特點(diǎn)： 
 最大110GHz的超寬帶性能 
 沒(méi)有共振，低群延遲 
 出色的抗阻匹配，高頻下極低的插入損耗 
 底部電極結(jié)構(gòu)，超低串?dāng)_，緊湊的走線(xiàn)與貼裝 
 對(duì)于溫度、電壓、老化，靜電容量值的穩(wěn)定性很高
 高可靠性 
2、去耦電容器: WLSC、WBSC、UWSC系列 


WLSC、WBSC、UWSC系列最適合用于作為T(mén)OSA、ROSA器件內(nèi)光芯片電源線(xiàn)上的去耦電容，有助于縮減空間受限的應(yīng)用裝置的體積。例如在0101 (0.25mm×0.25mm)尺寸上實(shí)現(xiàn)高達(dá)1nF的電容密度——村田的硅電容技術(shù)可以成功做到這一點(diǎn)。 
WLSC系列，是可薄至100μm的引線(xiàn)鍵合用上下電極硅電容器。利用半導(dǎo)體工藝，開(kāi)發(fā)極深溝槽結(jié)構(gòu)的硅電容器，靜電容量密度高達(dá)6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的擊穿電壓為150V to 11V）。
WLSC系列的特點(diǎn) 
 100μm的極薄型 
 低漏電流 
 高穩(wěn)定性（溫度、電壓）
  老化后靜電容量也極少下降。 
 支持標(biāo)準(zhǔn)的引線(xiàn)鍵合封裝（球和楔）
    
WBSC系列是最高工作溫度150℃的引線(xiàn)鍵合用上下電極硅電容器。適用于DC去耦。厚度只有250μm。 
UWSC系列擁有超過(guò)26GHz的超寬帶性能，沒(méi)有共振，相位穩(wěn)定，外殼尺寸0101，靜電容量值1nF。對(duì)于溫度、電壓、老化，靜電容量值的穩(wěn)定性很高。具有超低的ESR和ESL以及高可靠性。
3、IPD (硅集成無(wú)源器件) 
利用村田的硅集成無(wú)源器件（Integrated Passive Device）技術(shù)，即可同時(shí)實(shí)現(xiàn)光通信設(shè)備的小型化及性能提升。
      

舉例而言，用于TOSA的硅中介層不但成功將以往需要分別裝置的電容和電阻等部件全部集成于一體，同時(shí)還能夠進(jìn)一步提升適應(yīng)溫度及電壓變化的穩(wěn)定性。由此可以削減裝配時(shí)間、實(shí)現(xiàn)小型化及性能的提升。 



主要特點(diǎn) 
 接近于激光器和電吸收調(diào)制器的熱膨脹系數(shù)（CTE）（4.2 ppm/K） 
 與氮化鋁（AIN）基板同等的導(dǎo)熱率（150W/m.K） 
 介電常數(shù)＝11.7 
 損耗角正切（Loss Tangent）＝0.005 @1GHz, 0.015 @10GHz 
優(yōu)點(diǎn) 
 提高可靠性 
 可應(yīng)對(duì)寬帶 
 小型化 
 減少元件數(shù) 
 薄型化 
 削減總成本

以下二維碼為村田硅電容產(chǎn)品手冊(cè)下載


湘海電子 SZ000062

    深圳市湘海電子有限公司成立于1996年，一直致力于元器件方案服務(wù)提供商。隨著公司業(yè)務(wù)迅速發(fā)展，先后在香港、上海、廈門(mén)、青島、北京成立分公司，現(xiàn)有員工近200人，注冊(cè)資本7500萬(wàn)元，2019年銷(xiāo)售額超過(guò)70億元。秉承“我誠(chéng)故我在”的文化理念，致力于成為中國(guó)最好的電子元器件方案服務(wù)公司。在光通信領(lǐng)域，湘海電子瞄準(zhǔn)高速光器件解決方案，先后代理了MuRata(村田制作所), Panasonic（松下）, Foxconn（富士康）, Teratech（創(chuàng)兆）Sitrus(橙科)等優(yōu)秀品牌，涉及的產(chǎn)品包括10G/25G DFB激光器、EML激光器芯片、DSP\CDR、單模、多模LENS、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及IC等部件業(yè)務(wù)。 
湘海聯(lián)系人：
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