9/14/2024，光纖在線訊，杭州澤達半導體有限公司是一家國內(nèi)新興的光通信技術(shù)供應商。近日，澤達半導體通過了上海交大平湖智能光電研究院的第三方檢驗，并發(fā)布了其自主研發(fā)與流片的100G PAM4 EML激光器數(shù)據(jù)報告。報告顯示，澤達的100G PAM4 EML在多個關(guān)鍵性能指標上超越了行業(yè)標準，充分展現(xiàn)出卓越的信號質(zhì)量和系統(tǒng)容錯能力。

 
澤達100G EML芯片
     在高速傳輸應用中，電吸收調(diào)制激光器（EML）的帶寬是衡量其性能的關(guān)鍵指標。澤達100G PAM4 EML在工作溫度內(nèi)的3dB帶寬均在53GHz以上，接近200G bps EML的要求（>65GHz），這一指標不僅滿足了100G bps EML的高標準，更預示著澤達在200G bps EML領(lǐng)域的技術(shù)潛力。

     報告中特別提到了該產(chǎn)品PAM4眼圖TDECQ（Transmitter and Dispersion Eye Closure Quaternary for PAM4）測試結(jié)果。TDECQ是衡量PAM4光信號質(zhì)量的重要參數(shù)，澤達100G EML在1.5 Vpp和1.2 Vpp條件下的TDECQ值分別為1.89dB和1.80dB，均遠低于IEEE標準要求的3.4dB，顯示出澤達產(chǎn)品在信號質(zhì)量上的顯著優(yōu)勢。

  
澤達100Gbps TDECQ  1.8 dB (輸入信號 1.5Vpp)
     澤達半導體的這一突破，得益于其在光通信領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新投入。公司表示，目前預計100G PAM4 EML已經(jīng)開始與多家客戶展開對接送樣進行驗證，有望在今年通過客戶認證，進入量產(chǎn)。同時，澤達即將推出全流程自制的SOA與增益芯片，已與Tier1的客戶達成協(xié)議，有望明年進入量產(chǎn)。

     澤達半導體的這些進展，不僅為國內(nèi)光通信行業(yè)帶來了新的技術(shù)突破，也為全球高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌l(fā)展注入了新的動力。隨著5G、數(shù)據(jù)中心、云計算、AI等技術(shù)的快速發(fā)展，澤達半導體憑借其領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品，有望在全球光通信市場中占據(jù)更加重要的地位。


澤達3英寸晶圓襯底
關(guān)于澤達半導體
     杭州澤達半導體成立于2021年，是一家專注于光通信領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，致力于研發(fā)和自主生產(chǎn)高性能的光電子器件，主要包括高速DML/EML激光器芯片與大功率CW laser以及GC/SOA，為全球客戶提供優(yōu)質(zhì)的光通信解決方案。

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