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Intel:2年內(nèi)EUV工藝超越量產(chǎn)多年的臺(tái)積電、三星

光纖在線編輯部  2022-09-19 10:28:17  文章來(lái)源:綜合整理  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載.

導(dǎo)讀:Intel以往是全球最先進(jìn)芯片工藝的領(lǐng)導(dǎo)者,然而在14nm到10nm節(jié)點(diǎn)之間遇到了問題,導(dǎo)致臺(tái)積電、三星追趕上來(lái)了,并且率先量產(chǎn)了EUV工藝,不過Intel也在努力反超,CEO制定的路線圖意味著他們只要2年就能實(shí)現(xiàn)EUV工藝趕超臺(tái)積電、三星的計(jì)劃。

9/19/2022,光纖在線訊,Intel以往是全球最先進(jìn)芯片工藝的領(lǐng)導(dǎo)者,然而在14nm到10nm節(jié)點(diǎn)之間遇到了問題,導(dǎo)致臺(tái)積電、三星追趕上來(lái)了,并且率先量產(chǎn)了EUV工藝,不過Intel也在努力反超,CEO制定的路線圖意味著他們只要2年就能實(shí)現(xiàn)EUV工藝趕超臺(tái)積電、三星的計(jì)劃。

Intel目前量產(chǎn)的工藝是Intel 7,從明年的14代酷睿開始進(jìn)入Intel 4工藝,這是Intel首個(gè)EUV工藝,之后的Intel 3工藝則是在Intel 4基礎(chǔ)上改進(jìn)。

2024年上半年Intel會(huì)量產(chǎn)20A工藝,原定2025年量產(chǎn)的18A工藝也提前到了2024年下半年,這兩代工藝會(huì)放棄FinFET晶體管工藝,首次進(jìn)入埃米級(jí)工藝,用上Intel的兩大黑科技技術(shù),也就是RibbonFET和PowerVia,前者是GAA晶體管的Intel版,后者是Intel首創(chuàng)并獨(dú)有的背面供電技術(shù)。

按照Intel的計(jì)劃,這個(gè)路線圖意味著他們?cè)?023-2024年的1-2年內(nèi)就會(huì)實(shí)現(xiàn)三代EUV工藝量產(chǎn),而且技術(shù)水平足以超過臺(tái)積電重返第一的。

要知道,臺(tái)積電、三星最早在2018-2019年就開始生產(chǎn)EUV工藝,華為的麒麟990是首個(gè)臺(tái)積電7nm EUV工藝,到2024-2025年的時(shí)候,這兩家量產(chǎn)EUV工藝至少5-6年時(shí)間,Intel只用1-2年就輕松超越了。

Intel現(xiàn)在的4年量產(chǎn)5代CPU工藝的路線圖如果沒有任何跳票,那真的是Intel的奇跡4年。
關(guān)鍵字: Intel EUV工藝 臺(tái)積電
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