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韓國三星積極開發(fā)3納米芯片工藝

光纖在線編輯部  2020-01-06 12:06:14  文章來源：綜合整理  版權所有,未經許可嚴禁轉載.

導讀：3納米級半導體工藝計劃首先應用到三星的晶圓代工（foundry）工程之中。三星計劃明年下半年在全球最早實現(xiàn)3納米級芯片的批量生產。

1/6/2020光纖在線訊：三星電子副會長李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個3納米級半導體工藝”的韓國京畿道華城半導體工廠，并聽取了關于3納米工藝技術的報告，他還與三星電子半導體部門社長團討論了新一代半導體戰(zhàn)略。

據(jù)了解，三星電子計劃利用極紫外光刻（EUV）工藝，提高在7納米以下精細工程市場的份額。3納米級半導體工藝計劃首先應用到三星的晶圓代工（foundry）工程之中。三星計劃明年下半年在全球最早實現(xiàn)3納米級芯片的批量生產。

三星電子將在最新的3納米工程中使用不同于其他工程的新一代工藝“GAA”。三星電子負責半導體產業(yè)的部門表示，基于GAA工藝的3納米芯片面積可以比最近完成開發(fā)的5納米產品面積縮小35%以上，耗電量減少50%，處理速度可提高30%左右
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