三星電子：將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群（HPC）
光纖在線編輯部 2022-07-25 11:17:20 文章來源：原文轉(zhuǎn)載
導(dǎo)讀：三星電子25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)的極紫外光刻（EUV）專用V1生產(chǎn)線舉行了適用新一代全環(huán)繞柵極（簡稱GAA）技術(shù)的3納米芯片產(chǎn)品出廠紀念活動。
7/25/2022，光纖在線訊，三星電子25日在京畿道華城廠區(qū)內(nèi)的極紫外光刻（EUV）專用V1生產(chǎn)線舉行了適用新一代全環(huán)繞柵極（簡稱GAA）技術(shù)的3納米芯片產(chǎn)品出廠紀念活動。據(jù)介紹，三星電子將首次把3納米GAA工藝用于高性能計算機群（HPC），并計劃與主要合作商攜手將其擴至移動系統(tǒng)級芯片（SoC）等多種產(chǎn)品群。三星電子計劃繼華城廠區(qū)之后，在平澤廠區(qū)也投入量產(chǎn)GAA3納米芯片。 (韓聯(lián)社)
來源：財聯(lián)社
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