10/08/2022，光纖在線訊，日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國康奈爾大學(xué)的研究團(tuán)隊開發(fā)出了用于“6G”的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。研究團(tuán)隊開發(fā)出了去除成膜過程中產(chǎn)生的雜質(zhì)的方法，把晶體管材料的導(dǎo)電性提高到原來的約4倍。計劃應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)用途，例如在高速無線通信基站上增幅電力等。

據(jù)相關(guān)媒體報道稱，目前想要實現(xiàn)超高速通信，需要導(dǎo)電性強(qiáng)的晶體管。該硬性需求使得，在基板上分別層疊電子生成層和電子轉(zhuǎn)移層的高電子遷移率晶體管被人們所關(guān)注。據(jù)目前的技術(shù)，電子生成層大多使用的氮化鋁鎵，其中，導(dǎo)電性強(qiáng)的氮化鋁（AlN）的含有率為20～30％，而新技術(shù)將提高氮化鋁的比率。