6/27/2024，光纖在線訊，6月24日，2024年度光通信最具影響力產(chǎn)品頒獎典禮在CFCF光連接大會期間隆重舉辦。長光華芯100mW CW DFB光通信芯片產(chǎn)品榮獲光電芯片及有源器件類2024年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎！

      
      
CFCF2024年度光通信最具影響力產(chǎn)品評選   
    評選由光纖在線與和弦產(chǎn)業(yè)研究中心聯(lián)合主辦，旨在突出標(biāo)桿示范和創(chuàng)新引領(lǐng)，是對光通信技術(shù)創(chuàng)新成果的一次年度集中展示和比拼。評選通過產(chǎn)業(yè)鏈上下游調(diào)查、權(quán)威顧問團(tuán)隊評審、光纖在線分析師團(tuán)隊綜合打分，從市場占有率、技術(shù)領(lǐng)先或創(chuàng)新能力、品牌知名度多維度評選出年度代表性產(chǎn)品，獲獎產(chǎn)品往往是企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新的體現(xiàn)，更是行業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。

      
獲獎產(chǎn)品：100mW CW DFB
    長光華芯100mW CW DFB光源芯片，繼承了公司大功率半導(dǎo)體激光器核心的外延和腔面鈍化工藝技術(shù)，提升了長腔長芯片的電光轉(zhuǎn)換效率，確保了大電流，高發(fā)熱工況下的芯片可靠性。

    該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于工業(yè)級或消費級的數(shù)據(jù)中心、云計算、5G通信等領(lǐng)域，為高速、低延遲的通信提供了堅實的基礎(chǔ)。

    傳統(tǒng)的70mW CW DFB從功率預(yù)算角度存在滿足1分4的可能，但其對模塊廠商CoC散熱設(shè)計和工藝控制能力要求非常嚴(yán)苛，輕微工藝波動就將導(dǎo)致CoC良率大幅降低。所以實際70mW規(guī)格的CW DFB芯片難以實現(xiàn)1分4。

    100mW CW DFB具有充足的功率裕量，不僅可以實現(xiàn)1分4，且對于客戶CoC封裝能力和耦合工藝控制更為友好，提升客戶制程良率的同時降低加工成本，還能確保模塊輸出高功率，對系統(tǒng)更加友好，也更加容易滿足DR+的應(yīng)用需求。

    本次獲獎是業(yè)內(nèi)專家對長光華芯研發(fā)成果的認(rèn)可，未來，長光華芯將繼續(xù)秉持科研精神，保持創(chuàng)新迭代，助推半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化和商業(yè)化！

      
    長光華芯專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片，核心技術(shù)覆蓋半導(dǎo)體激光行業(yè)最核心的領(lǐng)域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題，建成了完全自主可控的從芯片設(shè)計、MOCVD（外延）、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學(xué)耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線，擁有2吋、3吋、6吋三大量產(chǎn)線，邊發(fā)射EEL、面發(fā)射VCSEL兩大產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，GaAs砷化鎵、InP磷化銦、GaN氮化鎵三大材料體系，是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)之一，有力推動了我國超高功率激光技術(shù)及其應(yīng)用的快速發(fā)展。

      
長光華芯IDM全流程工藝平臺和量產(chǎn)線