2/17/2025，光纖在線訊，據(jù)韓聯(lián)社 2月17日光州報(bào)道，韓國光州科學(xué)技術(shù)研究所（GIST）17日宣布，其研究團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)了一種環(huán)保高效的下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)。該技術(shù)由GIST化學(xué)系洪錫元教授團(tuán)隊(duì)與浦項(xiàng)加速器研究所（PAL）黃燦國博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合研發(fā)，采用熱基干法工藝，克服了現(xiàn)有濕法工藝的局限性。

       傳統(tǒng)的濕法工藝在制造精細(xì)半導(dǎo)體電路圖案時，常因液體化學(xué)品的表面張力導(dǎo)致圖案崩潰或質(zhì)量問題。此外，濕法工藝需要昂貴的專用設(shè)備，并使用有害化學(xué)物質(zhì)，對環(huán)境造成負(fù)擔(dān)。新開發(fā)的干法工藝通過減少有害物質(zhì)的使用，不僅防止了圖案塌陷，還實(shí)現(xiàn)了高分辨率圖案，并簡化了制造步驟，提高了生產(chǎn)效率。研究團(tuán)隊(duì)利用自主開發(fā)的極紫外（EUV）反應(yīng)聚合物材料光刻膠，成功在硅晶片上雕刻出80納米的精細(xì)納米圖案，并申請了兩項(xiàng)國際專利。這一技術(shù)有望在提升下一代電子設(shè)備性能方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。

      
整理來源：郵電設(shè)計(jì)技術(shù)
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