IBM日前宣布，其研究人員采用130納米1.5V CMOS工藝集成了一片10Gbps的硅光電檢測(cè)器，打開(kāi)了一條芯片到芯片和板到板光互連的通途。光電檢測(cè)器最終可用于芯片級(jí)互連，到2010年，當(dāng)處理器的時(shí)鐘頻率超過(guò)11.5GHz時(shí)，光互連可能會(huì)用來(lái)避免芯片到芯片和片上瓶頸。 

在2003年VLSI技術(shù)論壇上，IBM沃森研究中心研究人員Min Yang介紹了單片式集成光電檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)比以往所討論的硅光電檢測(cè)器要高很多的數(shù)據(jù)檢測(cè)率10Gbps。Yang表示，該檢測(cè)器工作電壓也小很多，僅為1.5V。一打或更多的光電檢測(cè)器可集成為一個(gè)單一器件，面積為16x15平方微米，用于并行數(shù)據(jù)鏈接。檢測(cè)器最初可用于服務(wù)器之間的高速數(shù)據(jù)通信。 

她表示，由于該檢測(cè)器是按常規(guī)硅CMOS工藝加工的，與砷化鎵檢測(cè)器的成本相比，縮減幅度相當(dāng)大。Yang指出，該方法的關(guān)鍵所在是深側(cè)向溝道，與IBM嵌入DRAM技術(shù)里所采用的高平面率(high-aspect-ratio)溝道相類(lèi)似。（電子工程專(zhuān)輯）