5/7/2004，位于英國(guó)格拉斯哥地區(qū)的Intense光子公司日前宣布成功實(shí)現(xiàn)將100個(gè)以上的功能器件集成到一個(gè)單片芯片上。這個(gè)了不起的成就充分顯示了Intense光子公司的量子阱交錯(cuò)技術(shù)QWI的量產(chǎn)能力。這也為今后制作更高性價(jià)比，更多功能，更小尺寸的光芯片奠定了基礎(chǔ)。Intense的QWI技術(shù)不像以往的基于regrowth的技術(shù)，所有的器件制作都是在一步完成。Intense光子的首個(gè)器件是980nm激光器的陣列。該產(chǎn)品基于GaAs芯片，每個(gè)單個(gè)激光器的輸出功率都大于220mw，通過(guò)平面波導(dǎo)器件再將功率集合到一起。這種器件可以大大降低EDFA的制造成本。