3/21/2016, 世界領(lǐng)先的納米電子技術(shù)研究中心比利時IEMC今天宣布將在本次OFC期間宣布多個晶圓級集成硅光平臺關(guān)鍵部件的性能改進(jìn)。這些新成績拓展了IMEC的集成硅光平臺產(chǎn)品線，支持50Gbps的NRZ速率，是針對高密度，高帶寬和低功耗的高速率硅光集成互聯(lián)技術(shù)的重要進(jìn)展，同時可以針對低成本大批量的諸如傳感器或者激光雷達(dá)LiDAR的應(yīng)用。

通過工藝和設(shè)計優(yōu)化，IMEC改善了基于硅光的行波MZ調(diào)制器和環(huán)形調(diào)制器的工作速度，可以支持50Gbps MRZ線路速率。此外，專門開發(fā)了C波段的GeSi 電吸收調(diào)制器支持50GHz以上的電光帶寬，支持NRZ調(diào)制在56Gbps以上速率的工作。所有的調(diào)制器可以在2Vpp或者更低的電壓驅(qū)動下工作，支持與高功效的CMOS驅(qū)動電路的配合。

IMEC還將高速Ge探測器的響應(yīng)度提高到1A/W，支持C和O波段下的高靈敏的50Gbps NRZ工作。此外，邊緣耦合結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)與大數(shù)值孔徑和透鏡光纖耦合，C波段下插損小于3dB。最后，193nm光刻技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的掩模精度，確保波導(dǎo)的可靠性。

50Gbps器件目前被納入IMEC的200mm 硅光光子多項目晶圓MPW項目，得到工藝設(shè)計工具PDK的支持。MPW可以通過Ruropractice的IC服務(wù)和低成本定制化IC的驗證和量產(chǎn)項目MOSIS進(jìn)行申請。用戶可以在2016年6月28日前進(jìn)行申請，預(yù)計明年1月9日首批晶圓發(fā)出。