6/12/2018， 光互聯(lián)論壇OIF今天宣布在4月24日到26日德國(guó)紐倫堡舉辦的Q218技術(shù)和MA&E委員會(huì)會(huì)議上啟動(dòng)CEI-112G-XSR項(xiàng)目針對(duì)裸芯片間（D2D）和裸芯片到光引擎（D2OE）的通用電接口應(yīng)用進(jìn)行研究。這一項(xiàng)目致力于解決到光引擎的連接以及裸芯片間高密度低功耗的連接，工作速率72-116Gbps，工作距離50mm。

在已有的針對(duì)高帶寬寬泛的CMOS到CMOS應(yīng)用的CEI-112G-MCM OIF項(xiàng)目基礎(chǔ)上，新的CEI-112G-XSR項(xiàng)目支持更多技術(shù)混合，尤其是CMOS到光引擎常用的鍺硅芯片上。封裝內(nèi)的系統(tǒng)(SIP) 的出現(xiàn)要求支持多個(gè)芯片在用用數(shù)據(jù)包子層實(shí)現(xiàn)50mm內(nèi)的連接。

來(lái)自諾基亞的OIF技術(shù)委員會(huì)主席Klaus-Holger Otto指出，他們特別設(shè)計(jì)了這個(gè)項(xiàng)目來(lái)解決多個(gè)裸芯片的互聯(lián)，包括基于非CMOS技術(shù)的驅(qū)動(dòng)芯片等。對(duì)混合技術(shù)的支持可以實(shí)現(xiàn)對(duì)模擬芯片更好的支持，提高邏輯密度。 
 
CEI-112G-XSR項(xiàng)目的優(yōu)點(diǎn)包括：
允許更低的歸一化功率，提升shoreline密度，提供了多源的72-116Gbps D2D和D2OE電I/O接口
支持從1到N線的72-116Gbps電I/O