王啟明院士，男，中共黨員，1934年7月3日生于福建省泉州市，1956年畢業(yè)于復旦大學物理系，同年進入中國科學院應用特理研究所（后稱物理研究所），1960年至今一直在中國科學院半導體研究所工作，先后任助理研究員，副研究員，研究室主任，1983-1985　任半導體所副所長，1986年晉升研究員，博士生導師，1985-1994　任半導體所所長，先后行國家“863”高技術發(fā)展計劃信息領域專家委員會委員，光電子主題專家組成員，集成光電子學國家重點聯合實驗室及國家光電子工藝研究中心學術委員會主任，國家自然科學基金委信息科學部咨詢委員會委員，光學學科評審組組長等職。兼任中科院研究生院、廈門大學、浙江大學、東南大學、北京交通大學、北京工業(yè)大學、華僑大學、華中科技大學等教授和“中國科學院院刊”、“中國科學”、“光學學報”、“半導體學報”、“發(fā)光學報”、“自然科學進展”等編委。
　　早年從事半導體材料制備與特理測試研究工作，參預籌建我國半導體測試基地，1958年首次在國內用區(qū)熔法獲得超純性級半導體鍺材料。創(chuàng)新發(fā)展了交變場光磁電效應和高頻相移壽命測試法，建立了相移壽命理論。
　　70年代后致力于半導體光電子學研究，主持完成了多項國家重點攻關和“863”計劃高科技項目，率先在國內主持研制成功GaAs基短波長與Inp基長波長半導體激光器和Si雪崩光電二極管，為開拓我國光通信事業(yè)作出了重要貢獻。發(fā)現了激光器中的Q開關反常自脈動，正向負極開關效應和異質界面態(tài)的電荷存儲記憶效應。基于上述研究，發(fā)展了雙區(qū)共腔（CCTS）半導體光雙穩(wěn)態(tài)激光器，發(fā)現了光增益鎖定穩(wěn)頻效應，提出了“相關注入壓窄光脈沖”的新概念。
　　80年代中期后投身于半導體量子阱集成光電子器件研究，擔任“863”專家委員會委員期間，提出“以光通信為主，光互連、光計算為輔的主題戰(zhàn)略目標，以發(fā)展新一代光電子器件為主導的研究路線及建設一個全國性、開放性的以量子盡寸工藝為主體的光電子器件研究基地（后稱為光電子工藝中心）”的建議，成為“863”計劃光電子主題至今的基本框架。指導研究生在國內率先研制成功GaAs量子阱激光器和基于量子阱子可飽和吸收的自電光效應（SEED）雙穩(wěn)態(tài)光開關高速電光調制器等，對推動我國量子阱光電子學的發(fā)展作出了重要貢獻。
　　90年代后潛心于SI基光電子學的研究，立足于國內加工，主持創(chuàng)新設計建立了超高真空氣相沉積（UHV－CVD）生長系統(tǒng)，指導研究生生長了SiGe/Si量子阱、量子點材料，并首次研制成功共振腔增強型（RCE－PD）1.3um長波長窄寬帶響應光電控測器，引起了國際學術界的重要反響　，先后研制成功了1.3-1.55um波頎Si基MOEMs可調諧窄寬光學濾波器和F－P腔熱光效應TO型可調窄帶光學濾波以及1.55um窄帶響應InGaAs/SiRCE-PD探測器。
　　現正致力于Si基近可見波段高效發(fā)光器件和高速電光開關以及Si基光電子集成的開拓性研究。
　　第一作者發(fā)表于國內外雜志論文一百多篇。
　　出版有“半導體激光原理”（杜寶勛合著，中國電子學會出版，1983年）
　　“光電子器件”（國家科委光通信專業(yè)組出版，1987年）
1999年獲何梁何利科技進步獎。
2001年獲中國光學學會，中國電子學會，中國通信學會聯合頒發(fā)“國家光通信與集成光學”杰出貢獻獎。