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| SK海力士擬斥資38.7億美元 赴美建首座HBM先進封裝廠 | |
| 4/07/2024，光纖在線訊，近日，韓國內(nèi)存大廠SK海力士宣布，斥資38.7億美元在美國印第安那州興建新先進內(nèi)存封裝廠，預期2028年下半年開始運營，有望生產(chǎn)HBM4和HBM4E內(nèi)存產(chǎn)品。據(jù)報道，該廠將不加工帶內(nèi)存電路的芯片，而是從其他地方（如韓國SK海力士芯片廠）獲得這些芯片，再用已知良好堆棧裸...... 2024-04-07 09:45:49 |