7/08/2024，光纖在線訊，半導體行業(yè)正處于重大變革的風口浪尖，而高端封裝 (HEP) 正是這場變革的核心。本教程將探討高端封裝市場的爆炸式增長、其技術(shù)驅(qū)動力以及它給半導體供應鏈帶來的顛覆性變化。

了解高端封裝
    高端封裝包含超越傳統(tǒng)芯片封裝的先進技術(shù)。它涉及三維堆疊、內(nèi)插器和先進互連技術(shù)等復雜工藝。這可以提高芯片密度、改善性能并降低功耗。

爆炸性的市場增長
    HEP 市場正在經(jīng)歷驚人的增長。2023 年，市場價值為 43 億美元，預計到 2029 年將飆升至 280 億美元以上，復合年增長率 (CAGR) 將達到驚人的 37%。這一激增主要受以下幾個因素驅(qū)動：
·  對高性能計算的需求： 人工智能、5G 網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)中心等應用需要 HEP 所能提供的強大芯片。

·  從前端向后端轉(zhuǎn)移： 縮小晶體管的難度和成本越來越高（摩爾定律），因此重點轉(zhuǎn)向先進封裝，以繼續(xù)提高芯片性能。

·  高平均銷售價格（ASP）： HEP 解決方案因其復雜性和性能優(yōu)勢而獲得高價。

      
主要細分市場
在 HEP 市場中，兩個細分市場占據(jù)主導地位：
1.電信與基礎(chǔ)設施： 該行業(yè)主要受 5G 網(wǎng)絡擴展的推動，目前占 HEP 收入的 67% 以上。

2.移動與消費： 智能手機和其他消費電子產(chǎn)品的快速增長推動了這一細分市場 50％ 的復合年增長率。

三維堆疊存儲器： 主要貢獻者
三維堆疊內(nèi)存技術(shù)（如 HBM、3DS、3D NAND 和 CBA DRAM）推動了 HEP 的大部分增長。這些技術(shù)實現(xiàn)了更高的內(nèi)存帶寬和密度，對高性能應用重要。

供應鏈的顛覆
HEP 正在以多種方式重塑半導體供應鏈：
··  邊界模糊： 晶圓代工廠、集成設備制造商（IDM）和外包半導體組裝與測試（OSAT）供應商在同一領(lǐng)域競爭，模糊了傳統(tǒng)角色。

·  進入門檻高：  HEP 技術(shù)的復雜性和成本為小型企業(yè)進入市場制造了障礙。

·  混合鍵合的挑戰(zhàn)：  混合鍵合是先進封裝的一項關(guān)鍵技術(shù)，由于其初始成本高、產(chǎn)量損失大，因此采用混合鍵合技術(shù)更有利于具有制造能力的公司。

      
主要參與者
幾家主要企業(yè)正在塑造 HEP 的格局：
·  臺積電（TSMC）：這家臺灣代工巨頭憑借其 CoWoS、InFO 和 3D SoIC 解決方案成為 3D 封裝領(lǐng)域的領(lǐng)導者。

·  英特爾： 英特爾是利用其 Foveros 和 EMIB 技術(shù)在美國進行芯片制造和封裝的主要參與者。

·  三星： 三星是 HBM 和 3DS 內(nèi)存的先驅(qū)，并通過其 I-Cube 和 H-Cube 解決方案不斷創(chuàng)新。

·  索尼：索尼一直是采用晶圓到晶圓（W2W）技術(shù)的混合鍵合芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導者。

技術(shù)趨勢
有幾種趨勢正在塑造 HEP 的未來：
··  異構(gòu)集成： 將不同類型的芯片（如 CPU、GPU、內(nèi)存）集成到一個封裝中，以獲得最佳性能。

··  Chiplet： 將大型芯片分解為更小、更專業(yè)的 "芯片"，這些芯片可以混合搭配，以優(yōu)化成本和性能。

··  混合鍵合： 這種先進的互連技術(shù)可實現(xiàn)極細間距連接，從而提高芯片密度和性能。

      
結(jié)論
    高端封裝改變了半導體行業(yè)的游戲規(guī)則。它的指數(shù)級增長、對供應鏈的顛覆性影響以及變革性的技術(shù)趨勢正在重塑芯片的設計、制造和使用方式。了解這些發(fā)展對半導體生態(tài)系統(tǒng)中的每位從業(yè)者都很重要。

來源：逍遙科技
參考資料：https://www.yolegroup.com/product/report/high-end-performance-packaging-2024/