3/14/2022，光纖在線訊，在 2017 年工信部發(fā)布的《中國(guó)光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖（2018-2022 年）》中，明確指出了光芯片和光模塊的發(fā)展路線和規(guī)劃，提出將全面提速 DFB\EML\VCSEL 等光芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，具體要求 10G EML芯片的自供率在 2022 年提升至 80%。

隨著我國(guó)光通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的快速推進(jìn)，敏芯半導(dǎo)體現(xiàn)已推出10G全系列EML芯片產(chǎn)品，包含10G 1577 EML/10G 1550 TDM EML/10G DWDM EML(C波段40波)，為國(guó)內(nèi)外客戶提供全系列EML產(chǎn)品與服務(wù)。目前該系列產(chǎn)品已取得客戶認(rèn)證并批量出貨。


敏芯半導(dǎo)體 10G  EML CHIP實(shí)物圖

我國(guó)通信網(wǎng)絡(luò)整體架構(gòu)主要包括無線接入網(wǎng)，有線接入網(wǎng)和傳輸網(wǎng)三大應(yīng)用領(lǐng)域。敏芯半導(dǎo)體的EML光芯片產(chǎn)品在10G PON升級(jí)、長(zhǎng)距傳輸及長(zhǎng)距密波分復(fù)用領(lǐng)域?yàn)閺V大客戶提供全系列解決方案。



在傳輸網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域，一般為40km/80km長(zhǎng)距離傳輸，對(duì)信號(hào)的質(zhì)量有著很高的要求，普通DFB（直調(diào)激光器）光芯片產(chǎn)品由于存在啁啾等問題，無法保證長(zhǎng)距離傳輸?shù)男盘?hào)質(zhì)量，EML（電吸收調(diào)制激光器）是最佳解決方案。EML（電吸收調(diào)制激光器）的原理復(fù)雜、工藝技術(shù)難度大，目前此領(lǐng)域仍被國(guó)外芯片廠家壟斷。

傳輸網(wǎng)處于信息匯聚的干線位置，對(duì)光芯片的壽命及可靠性更高的要求。由于EML（電吸收調(diào)制激光器）相比普通DFB（直調(diào)激光器）是穩(wěn)定發(fā)光光源+外調(diào)制的工作原理。此工作特點(diǎn)決定了EML比DML激光器在實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中有更好的健壯性，更加符合傳輸網(wǎng)對(duì)激光器高可靠性的要求。

傳輸網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景中由于傳輸距離較長(zhǎng)，導(dǎo)致光纖資源更加緊張，通過增加光纖進(jìn)行數(shù)據(jù)擴(kuò)容的難度及成本更大。業(yè)內(nèi)廣泛采用DWDM（密集波分復(fù)用）產(chǎn)品進(jìn)行擴(kuò)容。在不增加光纖的條件下，通過增加擴(kuò)展接口來增加數(shù)據(jù)容量。


DWDM EML示意圖

EML芯片采用EAM與DFB集成的方式組成（如下圖）。通過EA外調(diào)制的方法提升信號(hào)傳輸質(zhì)量及產(chǎn)品可靠性，實(shí)現(xiàn)傳輸網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域光信號(hào)的長(zhǎng)距離穩(wěn)定傳輸。


EML芯片集成方式

敏芯半導(dǎo)體10G EML激光器系列采用InGaAsP/InP多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和BH工藝，具有低功耗、高帶寬、高可靠性等特點(diǎn)。為便于追溯，芯片正表面提供十進(jìn)制數(shù)字編碼。

10G 1550nm/DWDM EML

10G 1550nm/DWDM EML激光器，通過客戶端的眼圖測(cè)試及傳纖測(cè)試評(píng)估，可滿足傳輸網(wǎng)40/80km傳輸要求。


性能指標(biāo)

DWDM波長(zhǎng)分布

三溫典型眼圖

10G 1577nm EML

10G 1577nm EML激光器，應(yīng)用于有線接入網(wǎng)10G PON OLT端。


性能指標(biāo)

三溫典型眼圖

關(guān)于敏芯半導(dǎo)體
作為光通信領(lǐng)域全系列光芯片供應(yīng)商，敏芯半導(dǎo)體持續(xù)深耕于光通信領(lǐng)域。未來，敏芯半導(dǎo)體將一如既往地秉承“做好每一顆光芯片，讓世界愛上中國(guó)芯”的使命，陸續(xù)推出性能更優(yōu)，速率更高的光芯片產(chǎn)品，為客戶提供更多更可靠的光芯片方案選擇，讓世界愛上中國(guó)芯。