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微電子所在795nm窄線寬VCSEL方面取得新進(jìn)展

光纖在線編輯部  2024-09-24 16:02:30  文章來源:本站消息  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴(yán)禁轉(zhuǎn)載.

導(dǎo)讀:近日,微電子所吳德馨院士團(tuán)隊(duì)提出了一種新型的縱向多腔耦合VCSEL。

9/24/2024,光纖在線訊,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSELs)具有體積小、閾值電流低、波長隨溫度穩(wěn)定、圓形光束和高可靠性等優(yōu)點(diǎn),是原子鐘、原子磁力儀、原子陀螺儀等核心光源。但傳統(tǒng)VCSEL的光譜線寬較寬,一般為50-100 MHz,無法與自然原子線寬(銫為5 MHz)匹配,限制了原子傳感系統(tǒng)性能的進(jìn)一步提升。

     近日,微電子所吳德馨院士團(tuán)隊(duì)提出了一種新型的縱向多腔耦合VCSEL。與傳統(tǒng)VCSEL相比,新型多腔耦合VCSEL具有更長的有效腔長和光子壽命。其諧振腔由一個(gè)有源腔和兩個(gè)無源腔組成,當(dāng)光子進(jìn)入無源諧振腔時(shí),會產(chǎn)生快速相移,在腔內(nèi)經(jīng)過多個(gè)循環(huán)周期后最終透射出去,大大增加了光子壽命,從而壓縮了光譜線寬。由于高階模式相較于基模在擴(kuò)展腔中具有更高的衍射損耗,即使在較大電流和氧化孔徑下,仍可支持單模激射,提高單模輸出功率。該795nmVCSEL實(shí)現(xiàn)了光譜線寬7.3MHz、單模功率4.6mW(25℃下)以及偏振抑制比27dB等高性能,可在下一代原子傳感系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。

     該工作得到了北京市科技新星計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金的支持。研究成果以“Longitudinal Multi-Cavity Coupled VCSELs With Narrow Linewidth and High Single Mode Power for Quantum Sensing”為題發(fā)表在光通信領(lǐng)域頂級期刊《Journal of Lightwave Technology 》上。微電子所荀孟青年研究員為論文第一作者,潘冠中青年研究員為通訊作者。

論文鏈接:https://ieeexplore.ieee.org/document/10535524

      
圖 1 新型VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖和不同溫度下的光功率曲線

      
圖 2 測量的VCSEL的光譜線寬
關(guān)鍵字: 微電子所 VCSEL 研究
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