10/21/2014,昨天在上海漕河涇，編輯遇到硅光電子技術(shù)的國(guó)際領(lǐng)先公司SiFotonics的光業(yè)務(wù)市場(chǎng)VP黃水清和銷售/營(yíng)運(yùn)VP劉華博士。他們向編輯介紹了SiFotonics在硅光子探測(cè)器領(lǐng)域的新進(jìn)展。

    今年3月的OFC上，編輯曾經(jīng)采訪SiFotonics的CEO 潘棟博士(http://financial5.com.cn/news/content/5/201403/20140325162747.html)。潘博士當(dāng)時(shí)重點(diǎn)向編輯介紹該公司基于鍺硅材料的硅光PD和APD產(chǎn)品。那次采訪令編輯印象最深的就是SiFotonics的團(tuán)隊(duì)在研發(fā)硅光子器件方面的深厚背景，以及潘博士對(duì)硅光子器件的信心。
也是在OFC上，SiFotonics曾經(jīng)向編輯透露他們的硅光探測(cè)器在國(guó)內(nèi)10G 光模塊市場(chǎng)上的進(jìn)展。這一次遇到SiFotonics的兩位高層，他們告訴編輯，目前公司產(chǎn)品在市場(chǎng)上的進(jìn)展令人滿意，部分產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入批量供貨階段。

    相較于傳統(tǒng)InP器件，硅光探測(cè)器的短板正在被補(bǔ)足，優(yōu)勢(shì)正在逐步凸顯。黃水清告訴編輯，在他看來(lái)，硅光子探測(cè)器至少具有五大優(yōu)勢(shì)。第一，增益帶寬性能突出，尤其是在高速應(yīng)用下。未來(lái)的25Gbps速率應(yīng)用中，硅光子探測(cè)器的靈敏度優(yōu)勢(shì)會(huì)更加明顯。這得益于硅材料優(yōu)異的雪崩特性所帶來(lái)的極低噪聲。第二，對(duì)于困擾現(xiàn)在許多光器件廠商的氣密封裝問(wèn)題，鍺硅材料不存在InP材料的怕水汽問(wèn)題，可以在很大程度上降低光器件對(duì)封裝的氣密性要求。第三，基于半導(dǎo)體CMOS工藝的鍺硅探測(cè)器一致性更好，這也是原先InP器件所不足的。第四，批量成本低，這是硅光子技術(shù)發(fā)展動(dòng)力。第五，硅晶圓機(jī)械特性很好，成品率高，適合大尺寸陣列和未來(lái)的光集成。實(shí)際上，第三條一致性和第五條，都是針對(duì)陣列和集成應(yīng)用。黃水清告訴編輯，雖然基于鍺硅工藝的硅光子探測(cè)器的性能和InP材料探測(cè)器還有點(diǎn)細(xì)微差別，但是在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)可以忽略不計(jì)，而這些器件的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)卻是InP材料器件所不具有的。這也是SiFotonics獲得客戶更多認(rèn)可的根本原因。

    劉華博士告訴編輯，SiFotonics的技術(shù)源于MIT，總部設(shè)在美國(guó)Boston，主要團(tuán)隊(duì)包括了多名國(guó)內(nèi)外業(yè)界精英。在SiFotonics內(nèi)部，有著濃厚的研發(fā)氛圍，他們經(jīng)常會(huì)為器件性能的點(diǎn)滴進(jìn)步而歡呼慶祝。成立7年以來(lái)，SiFotonics的硅光子器件的性能一直在穩(wěn)定提升，所開(kāi)發(fā)的10G和25G產(chǎn)品全線接近或達(dá)到傳統(tǒng)的InP探測(cè)器水平，部分產(chǎn)品性能已經(jīng)實(shí)現(xiàn)超越，例如1310nm波段的10G/25G PIN-PD/APD。劉博士說(shuō)，Sifotonics從成立之初就致力于硅光電子的集成，也開(kāi)發(fā)了在硅上生長(zhǎng)激光器的專利技術(shù)。但為了讓硅光電子盡快進(jìn)入實(shí)用，SiFotonics同時(shí)也注重分立器件，尤其是鍺硅探測(cè)器的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)品化，，這一策略在市場(chǎng)上已經(jīng)獲得了積極反響。劉博士說(shuō)，有為了開(kāi)發(fā)出性能最佳的鍺硅探測(cè)器，以及保證批量生產(chǎn)能力，SiFotonics還耗巨資投資了專門的設(shè)備。技術(shù)優(yōu)勢(shì)，投資優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)讓SiFotonics至少領(lǐng)先對(duì)手2年以上。

    在今年9月召開(kāi)的ECOC會(huì)上，SiFotonics介紹了全球首個(gè)1310nm 25Gbps基于CMOS工藝的鍺硅材料垂直入射的APD產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，得到了國(guó)際與會(huì)專家和業(yè)界人士的高度評(píng)價(jià)。這篇文章正是SiFotonics在硅光子探測(cè)器領(lǐng)域領(lǐng)先實(shí)力的真實(shí)體現(xiàn)。