1/27/2015, Lightreading報道，英國利茲Leeds大學Gin Jose教授團隊開發(fā)的超快激光等離子植入技術（ULPI）有望讓PIC光子集成技術更加成熟。
Jose教授指出，傳統(tǒng)的PIC技術在硅或者玻璃的摻雜濃度上有根本的限制。舉例來說摻鉺光纖通常要足夠長才能達到足夠高的放大倍數(shù)。如果要把摻鉺光纖放大器做小，你就需要很高的摻雜濃度。他們的ULPI技術就是可以實現(xiàn)高濃度的摻雜。
所謂的ULPI技術，采用了高功率的短脈沖激光在植入材料上產生高能等離子，然后再植入到目標材料中。新合成的材料就可以用來制造新一代PIC。按照Jose教授的解釋，激光把很高的能量帶到植入材料，在表面形成一層原子層并形成可見的等離子體，并以氣霧的方式植入要加強的材料中。
Jose教授說，基于他們的技術，單一PIC芯片上可以實現(xiàn)多個多個放大器。比如將分路器和放大器集成到一起用于接入網絡中，可以大大提升接入網的性能。他認為這種技術將會對光網絡帶來深遠的影響。最早2017年到2018年基于這種技術的PIC產品就會商用。目前他們已經在和約克大學和Sheffield大學展開硅光連接器件以及新型光源的合作研究，并和劍橋大學開展系統(tǒng)級的聚合物互聯(lián)及傳感器測試工作。
Jose教授去年12月已經獲得520萬英鎊資助建設一個實驗性制造中心來發(fā)展這種技術。其中370萬英鎊來自英國的工程和物理科學研究會EPSRC。這個中心預計在一年內可以建成。
除了PIC，ULPI技術還可以用于加固手機屏幕，制造生物傳感器材料，打造新型防偽技術等等，不過其主要目的仍然是PIC。
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