7/19/2024，光纖在線訊，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的厚度測量對于確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能至關(guān)重要。隨著技術(shù)的發(fā)展，行業(yè)對晶圓平整度和厚度的測量精度要求越來越高。Santec TMS-2000高精度晶圓測厚系統(tǒng)，為高精度測量提供定制化解決方案。 

     Sanetc 的TMS-2000系統(tǒng)以非接觸方式測量晶圓平整度，在極端工作環(huán)境中抗干擾能力強，可測晶圓尺寸范圍上至12英寸，其測量精度可達1nm。相較于傳統(tǒng)晶圓測厚技術(shù)的測量精度易受溫度變化或環(huán)境震動影響，TMS-2000的創(chuàng)新式硬件設(shè)計使其能有效抵抗環(huán)境干擾。

     TMS-2000的高速測量能力和一體式緊湊設(shè)計使其成為測量各種從輕摻到重摻P型硅(P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰，SOI等材料晶圓的理想平臺。

      
特點
     1nm精度：TMS-2000實現(xiàn)亞納米級晶圓測厚，確保測量的極致精準。
    抗干擾設(shè)計：在極端工作環(huán)境中，有效抵抗溫度變化和機械震動的干擾。
    全晶圓測量：支持從輕摻到重摻P型硅等材料的全范圍厚度測量，及客制化掃描模式。
     一體式光路：照明-探測集成設(shè)計，簡化操作流程。
     國際標準：測量結(jié)果符合SEMI標準。

測量方法
      
厚度測繪
     TMS-2000提供可視化的數(shù)據(jù)采集程序，便于用戶進行直觀一致的測量、分析和數(shù)據(jù)輸出。

      
邊緣 & 局部檢測
     TMS-2000提供多樣的平整度參數(shù)，可用于統(tǒng)計分析，其規(guī)格符合SEMI國際標準，且能以業(yè)界通用格式輸出。

客制化

      
設(shè)備制造解決方案
     提供可定制的晶圓測量硬件制造和軟件設(shè)計服務(wù)。

      
EFEM Integration
     提供自動化檢測和可控微環(huán)境的設(shè)計支持。

應(yīng)用
     重摻型硅：高靈敏度晶圓前后表面同時測量。
     粗糙表面：點掃描成像，高靈敏度，抗串?dāng)_噪聲影響，可測量粗糙表面晶圓。
     多層結(jié)構(gòu)：厚度可從μm級到數(shù)百μm級不等,適用于SOI和MEMS生產(chǎn)制造。
     雙折射 / 低反射材料：通過對偏振效應(yīng)的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比。
     薄膜測量：可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達 1nm，適用于晶圓背面研磨工藝和     表面聲波元件制造等。

     Santec TMS-2000，為您的晶圓測厚需求提供定制化解決方案。