3/27/2025，光纖在線訊，OpenLight與Tower Semiconductor成功展示了基于異質(zhì)集成硅光子技術(shù)的400G每通道調(diào)制器，實現(xiàn)了3.5 dB以上的消光比和0.6V峰峰值的低驅(qū)動電壓。

       
      隨著數(shù)據(jù)通信和人工智能的快速發(fā)展，人工智能、云計算、大規(guī)模數(shù)據(jù)中心以及高性能計算等光通信網(wǎng)絡(luò)正面臨超高帶寬、低功耗和高性價比的迫切需求。傳統(tǒng)的硅基調(diào)制器已經(jīng)難以滿足需求，而異質(zhì)集成硅光子技術(shù)正成為下一代光通信發(fā)展的關(guān)鍵路徑。

      近日，OpenLight與Tower Semiconductor聯(lián)合發(fā)布了一款400G（400G-per-lane）調(diào)制器，不僅突破了硅光子調(diào)制速率的限制，還具備低功耗、高集成度和高制造良率的優(yōu)勢，為未來高速光網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

異質(zhì)集成硅光子技術(shù)的突破
新演示的400G調(diào)制器基于Tower Semiconductor的PH18DA硅光子平臺，結(jié)合OpenLight的IP，實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的性能：
·    3.5 dB 以上的消光比，確保信號的高質(zhì)量傳輸；
·    0.6V 峰峰值（Vpp）低驅(qū)動電壓，降低功耗并優(yōu)化系統(tǒng)性能；
·    支持PAM-4調(diào)制格式，符合行業(yè)標準，適配當前主流通信架構(gòu)；
·    可直接替換現(xiàn)有200G調(diào)制器，加速行業(yè)從100G/200G向400G演進。

      當前，市場上純硅基調(diào)制器難以支持400G的通信速率，而OpenLight的異質(zhì)集成方案則提供了一條兼具成本效益與制造成熟度的技術(shù)路徑。該平臺還可以在硅基平臺上集成激光器和光放大器。該方案能夠在不依賴昂貴的薄膜鈮酸鋰（TFLN）、BTO或聚合物等技術(shù)的前提下，實現(xiàn)高性能和規(guī)?；慨a(chǎn)。

加速400G及更高速率光通信的發(fā)展
      400G調(diào)制器的成功驗證，標志著從100G、200G向400G乃至更高速率通信網(wǎng)絡(luò)的平滑過渡成為可能。這項技術(shù)對于未來的光通信架構(gòu)具有重要意義：
·    數(shù)據(jù)中心互連（DCI）：隨著云計算和AI的爆炸式增長，數(shù)據(jù)中心之間的光通信帶寬需求持續(xù)攀升，400G及以上速率的光互連成為剛需。

·    人工智能與機器學習：AI訓練過程中需要高速數(shù)據(jù)傳輸，400G硅光子模塊可以有效降低系統(tǒng)功耗并提升計算效率。

·    下一代光傳輸網(wǎng)絡(luò)：滿足3.2T及更高帶寬需求，推動光通信網(wǎng)絡(luò)向更高速率演進。

·    高性能計算：面向超級計算中心及科學計算領(lǐng)域，提供低延遲、高吞吐的光通信解決方案。

     
Openlight 案例（點擊閱讀原文可查看）

      當前光通信正處于100G/200G向400G/800G迭代的關(guān)鍵階段，而硅光子技術(shù)憑借其小型化、高帶寬、低功耗和大規(guī)模制造能力，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。OpenLight與Tower 的合作不僅證明了異質(zhì)集成硅光子的可行性，更為未來3.2T及更高速光網(wǎng)絡(luò)奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。

      未來，隨著人工智能、光計算等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，400G及更高速率硅光子調(diào)制器的應(yīng)用前景將更加廣闊，將持續(xù)推動全球光通信產(chǎn)業(yè)進入新的發(fā)展階段。

來源：Luceda