9/17/2025，光纖在線訊，在深圳CIOE2025期間，來自杭州澤達半導體（Zetta Semiconductor）的研發(fā)總監(jiān)K-H Huang博士發(fā)表了題為《磷化銦基光子學技術在光纖通信中的演進》的主題演講。他在演講中全面概述了磷化銦（InP）光子學技術，并闡述了其在塑造高速光網(wǎng)絡未來發(fā)展中的核心作用。

   K-H Huang博士回顧了磷化銦基光子學的發(fā)展起源：1963年光纖通信技術首次得到驗證，隨后長波長低損耗傳輸技術及磷化銦基激光器相繼問世。他指出，磷化銦具有直接帶隙、高電子遷移率及出色的晶格匹配度等特性，這些都是有源器件創(chuàng)新的關鍵要素，且六十多年來其實用性已得到充分驗證。K-H Huang博士強調了磷化銦基光子學技術的延展性，并表示該技術仍將在單波200Gbps/400Gbps數(shù)據(jù)中心及相干光通信領域的發(fā)展中扮演重要的角色。


                                               波段和當前產(chǎn)品介紹


                                                   關于Inp的介紹

   作為國內集成器件制造商（IDM），澤達半導體憑借其在磷化銦（InP）技術領域的深厚積累，打造了一套從芯片設計、外延生長、芯片制造到封裝測試的垂直整合生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)。這種全流程技術能力，使公司能夠推出多元化的高性能光芯片產(chǎn)品組合，可精準適配各類應用場景。對此，K-H Huang博士表示，自主掌控芯片制造全流程，不僅能確保工藝的穩(wěn)定性與可控性，還能提升產(chǎn)品的可靠性與一致性，這對于為客戶提供長期、穩(wěn)定的供應鏈至關重要。


                                                        IDM模式

   澤達半導體的核心產(chǎn)品線包括： 100Gbps/200Gbps PAM4 電吸收調制激光器（EML），以及連續(xù)波分布反饋激光器（CW-DFB）、增益芯片Gain chip及半導體光放大芯片SOA。其中，100G PAM4 EML 已進入量產(chǎn)階段，主要面向數(shù)據(jù)中心與AI智算；同時，200G PAM4 EML正積極推進市場化，以滿足下一代高帶寬應用的需求。K-H Huang博士還分享了公司產(chǎn)品及目標應用場景的深度見解，并著重提及目前正在開展的 EML-SOA 集成技術與高功率 CW-DFB技術研發(fā)工作，這些研發(fā)舉措旨在突破當前的性能瓶頸，實現(xiàn)高端光芯片國產(chǎn)自主可控。


                                               澤達產(chǎn)品線及目標應用場景

   K-H Huang博士還從戰(zhàn)略層面指出并強調，磷化銦（InP）與硅光子學并非競爭關系，而是互補性技術平臺。通過將磷化銦在有源器件性能上的優(yōu)勢，與硅光子學在集成密度及成本效益上的優(yōu)勢相結合，行業(yè)有望加速研發(fā)更緊湊、更節(jié)能且具備可擴展性的光通信系統(tǒng)。

   展望未來，K-H Huang博士表示澤達半導體將通過持續(xù)創(chuàng)新推動高速磷化銦（InP）基光子芯片的技術進步。公司將重點聚焦數(shù)據(jù)中心通信、相干傳輸及AI智算三大核心領域，致力于為中國光纖通信產(chǎn)業(yè)的高質量發(fā)展提供支撐。