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國產(chǎn)突破:澤達半導體實現(xiàn)100G PAM4 EML量產(chǎn)技術自主化

光纖在線編輯部  2025-05-14 18:12:21  文章來源:本站消息  版權所有,未經(jīng)許可嚴禁轉(zhuǎn)載.

導讀:隨著全球數(shù)據(jù)流量激增,100G及以上速率的光模塊需求持續(xù)增長。澤達半導體的這一突破,不僅填補了國內(nèi)高端EML芯片的量產(chǎn)空白,也為中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供了關鍵支持

5/14/2025,光纖在線訊,作為光模塊核心器件,高速EML芯片長期依賴進口。在2025年光電子與通信會議(OECC)上,澤達半導體宣布成功開發(fā)適用于大規(guī)模生產(chǎn)的100G PAM4電吸收調(diào)制激光器(EML),標志著高速光通信芯片量產(chǎn)化取得關鍵進展。該成果由項目總負責人Dr. K. Huang團隊主導完成,相關論文已被OECC收錄,并引發(fā)行業(yè)高度關注。

技術創(chuàng)新驅(qū)動量產(chǎn)化突破
   澤達半導體采用單脊波導結(jié)構(gòu)和單對接再生生長技術,簡化了傳統(tǒng)EML的復雜制造流程,同時優(yōu)化了抗反射(AR)涂層,顯著降低了殘余反射對信號的影響。此外,團隊通過精確調(diào)控InGaAsP多量子阱(MQW)的帶隙和應變,使芯片在光電性能和量產(chǎn)穩(wěn)定性上達到行業(yè)領先水平。



高性能表現(xiàn)符合國際標準
   測試數(shù)據(jù)顯示,該芯片的3 dB帶寬達到54 GHz,在25°C至70°C的工作溫度范圍內(nèi),TDECQ(傳輸色散眼圖閉合代價)均低于3.0 dB,完全符合IEEE標準要求。這意味著它能夠穩(wěn)定支持100G PAM4高速信號傳輸,適用于下一代數(shù)據(jù)中心和5G光模塊應用。

量產(chǎn)能力已就緒,加速市場應用
   目前,澤達半導體已建立完整的3英寸晶圓生產(chǎn)線,從外延生長、光刻刻蝕到芯片測試均實現(xiàn)自主可控。團隊還自主開發(fā)了一套測試系統(tǒng),可高效評估芯片的直流特性、高頻響應及PAM4眼圖質(zhì)量,為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎。
   
   項目負責人Dr. K. Huang表示:“我們的設計不僅優(yōu)化了性能,更注重低成本、高良率的量產(chǎn)可行性。隨著5G和數(shù)據(jù)中心對高速光模塊需求的增長,澤達的100G PAM4 EML將幫助客戶降低供應鏈風險,并推動國產(chǎn)光芯片的普及?!?

市場前景廣闊,助力國產(chǎn)替代
   隨著全球數(shù)據(jù)流量激增,100G及以上速率的光模塊需求持續(xù)增長。澤達半導體的這一突破,不僅填補了國內(nèi)高端EML芯片的量產(chǎn)空白,也為中國光通信產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控提供了關鍵支持。未來,該技術有望進一步擴展至200G/400G更高速率市場,推動全球光通信技術的升級發(fā)展。
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