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SiFotonics攜單波200G收/發(fā)硅光芯片參展CIOE 2025

光纖在線編輯部  2025-09-07 11:28:25  文章來源:本站消息  版權(quán)所有,未經(jīng)許可嚴禁轉(zhuǎn)載.

導(dǎo)讀:SiFotonics 單波200G 鍺硅探測器及單波200G硅光集成發(fā)射芯片將亮相CIOE2026(展臺12B65)。

9/07/2025,光纖在線訊,SiFotonics Technologies(希烽光電)將攜最新開發(fā)的應(yīng)用于AI 1.6T的單波200G 鍺硅探測器及單波200G硅光集成發(fā)射芯片等硅光產(chǎn)品參展第26屆中國國際光電博覽會(展臺12B65)。

SiFotonics的硅光產(chǎn)品憑借硅基CMOS平臺的工藝一致性、極低失效率、供應(yīng)穩(wěn)定性等優(yōu)勢,在5G、數(shù)據(jù)中心及AI集群建設(shè)中已經(jīng)獲得了大規(guī)模商用,累計出貨超過一億通道。

面向AI集群1.6T應(yīng)用的單波200G Ge/Si PD采用背照式、單體集成硅透鏡設(shè)計,借助硅基CMOS平臺的高精度工藝控制能力,200G Ge/Si PD實現(xiàn)了更高的響應(yīng)度(>0.75A/W)、更大的等效耦合孔徑(>40um)、更高的背面/正面對準精度(<±3um)、靈活匹配2.5D/3D封裝,且可獨家提供成本合理的4x200G 750um pitch array,陣列式設(shè)計保證了精確的通道間距,避免了單通道倒裝貼片帶來的累計通道間距變異?;谝陨巷@著優(yōu)勢,SiFotonics的200G Ge/Si PD目前獲得了行業(yè)頭部客戶認可,正在快速進行批量部署。
 
 

SiFotonics在其完全自主、可控的IDM-Lite專屬硅光工藝平臺上,自2025年以來完成了氮化硅工藝整合并實現(xiàn)量產(chǎn)級別器件開發(fā),在成熟相干集成芯片基礎(chǔ)上推出低成本、高可靠性、性能優(yōu)異的單波100G/200G IMDD(強度調(diào)制、直接探測)硅光集成芯片,吸引了眾多優(yōu)質(zhì)客戶的興趣,目前正在大量送樣和快速迭代中,預(yù)計2025年下半年進入量產(chǎn)。

為應(yīng)對AI集群市場的海量需求,SiFotonics目前正在大規(guī)模擴產(chǎn),為AI市場客戶預(yù)留充足產(chǎn)能,不設(shè)上限,并基于成熟可靠的專屬硅光產(chǎn)線和多年積累的硅光芯片量產(chǎn)經(jīng)驗,保障客戶的快速起量和穩(wěn)定供應(yīng)。
 


面對AI大潮,SiFotonics從技術(shù)和經(jīng)驗上已做好充分準備,將為AI市場提供從收端到發(fā)端、從長距到短距、從當下到未來完整的硅光產(chǎn)品組合和解決方案,做到技術(shù)可信賴、品質(zhì)可信賴、交付可信賴,成為AI時代可信賴的硅光芯片專家。

歡迎蒞臨SiFotonics展臺(12B65),共同探討AI光互連和硅光技術(shù)。

 
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