導讀:IBM正尋求與日本芯片制造商Rapidus建立長期合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)1nm以下芯片。
7/03/2025,光纖在線訊,IBM正尋求與日本芯片制造商Rapidus建立長期合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)1nm以下芯片。在現(xiàn)有2nm芯片合作的基礎(chǔ)上,IBM已向Rapidus位于北海道的工廠派遣工程師,這表明雙方正在加深合作關(guān)系,共同推進下一代半導體生產(chǎn),同時日本也在加大對芯片創(chuàng)新的投資力度。
報道中提到,IBM半導體研發(fā)部門總經(jīng)理Mukesh Khare表示,IBM有意與Rapidus建立長期合作伙伴關(guān)系,以推進下一代半導體技術(shù)的發(fā)展。除了目前在2nm芯片量產(chǎn)方面的合作外,IBM希望繼續(xù)與Rapidus合作開發(fā)更先進的工藝節(jié)點。
IBM計劃在未來幾年內(nèi)開發(fā)1nm以下半導體技術(shù),而Rapidus未來可能承擔這些芯片的量產(chǎn)任務(wù)。Mukesh Khare確認,IBM已向Rapidus位于北海道的工廠派遣約10名工程師,并強調(diào)IBM將全力支持Rapidus在2027年前實現(xiàn)2nm芯片的成功量產(chǎn)。
IBM與日本半導體公司Rapidus已經(jīng)擴大合作范圍,共同開發(fā)量產(chǎn)技術(shù),重點關(guān)注2nm級半導體。這一合作伙伴關(guān)系于2024年6月宣布,支持日本新能源和產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)的項目,該項目旨在推進下一代半導體的Chiplet(芯粒)和封裝設(shè)計。
到2024年12月,雙方合作取得了重要進展,創(chuàng)建了“選擇性層縮減”的新型芯片構(gòu)建方法。這一工藝能夠一致地生產(chǎn)具有多閾值電壓(multi-Vt)的納米片環(huán)繞柵極晶體管。這一創(chuàng)新促進了更節(jié)能、更復雜的計算,這對于將2nm晶體管擴展到量產(chǎn)水平至關(guān)重要。
來源:愛集微
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